基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已经发展得很成熟，广泛地应用于光通信、移动通讯、微波通讯的领域。量子级联激光器是一个单极器件，是近十多年才发展起来的一种新型中、远红外光源，在自由空间通信、红外对抗和遥控化学传感等方面有着重要应用前景。它对MBE制备工艺要求很高，整个器件结构几百到上千层，每层的厚度都要控制在零点几个纳米的精度，我国在此领域做出了国际先进水平的成果；又如多有源区带间量子隧穿输运和光耦合量子阱激光器，它具有量子效率高、功率大和光束质量好的特点,我国已有很好的研究基础；在量子点（线）材料和量子点激光器等研究方面也取得了令国际同行瞩目的成绩。

 

　　小结

 

　　从整个半导体材料和信息技术发展来看，目前的信息载体主要是电子，即电子的电荷（电流）。电子还有一个属性，电子的自旋，我们尚未用上。如果我们再把电子的自旋用上，就增加了一个自由度，这也是人们目前研究的方向之一。我们从电子材料硅、锗发展到光电子材料GaAs和InP，GaN等，就是电子跟光子可以结合一起使用的材料，光电子材料比电子材料的功能更强大；再下一代的材料很可能是光子材料。我们现在只用了光子的振幅，而光的偏振和光的位相应用还未开发出来，所以这给我们研究者留下了非常广阔的天地。从材料的发展来看，从块体材料向薄层、超薄层，低维（纳米）结构材料和功能芯片材料方向发展；功能芯片可能是有机跟无机的结合，也可以是生命与有机和无机的结合，这也为我们提供了一个非常广阔的创新的天地，我相信人们将来能在这个领域大有作为。 【原标题：王占国：半导体材料的过去、现在和将来】