王占国在全面查阅相关文献之后，制定了切实可行的方案。他不贪图捷径，从最基本的光学实验做起，一步步推进。设备差，他在摸熟仪器性能之后，大胆改进实验条件。最终，他总结出一套新实验方法，解决了在多子系统中研究少子陷阱性质的难题。既节省了测量时间，也提高了实验精度和可靠性，还简化了样品的制备要求。

 

难题的解决，引起了系里同行的注目。王占国那个冷落的实验室，一下子热闹起来。研究生们有的来向王占国祝贺，有的来求教实验中的种种疑难。同事莱德堡博士不解地问：“这么一个新的实验方法，你是如何想出来的呢？”王占国幽默地说：“还记得哥伦布立鸡蛋的故事吧，用他的话说：‘事情就这么简单’”。

 

中心主任哥尔马斯主动提出让王占国使用自己的实验室。进入哥尔马斯的实验室，王占国如鱼得水。他潜心研究手头的课题，得出的结果与哥尔马斯的结论大相径庭。王占国没有立即公开自己的研究成果，而是写信向黄昆和林兰英汇报。不久，他收到回信：“物理学上没有不变的规律，不要迷信权威。科学，从来就是后人对前人结论的不断修正才得以发展起来的……” 受此鼓舞，王占国又采用一种新方法对实验数据进行严格验证，最终确定自己的实验结果是正确的。

 

当王占国把实验结果交给哥尔马斯审阅时，哥尔马斯非常惊讶。但当他提出的问题被王占国一一解答后，哥尔马斯不得不承认“实验结果是无可挑剔的”。他起身热情地握住王占国的手说：“密斯特王，了不起，祝贺你！”

 

王占国根据实验结果写成的学术论文发表后，国际上深能级研究的另一大权威，美籍华裔科学家萨支唐在美国《应用物理》杂志上感慨地写道：“王用哥尔马斯的实验室测得的结果，否定了哥氏的结论”。

 

辛勤耕耘 无怨无悔

 

1983年11月，王占国归国。从1984年开始，他致力于深能级物理实验室建设和材料物理的研究。

 

1987年，王占国通过我国发射的科学实验卫星，首次成功地在空间从熔体中生长出了GaAs单晶，开拓了我国微重力材料科学研究的新领域。这一成果荣获中科院科技进步一等奖（1989）和国家科技进步三等奖（1990）。根据在太空生长GaAs的实验结果，王占国又提出“太空中由于重力驱动的溶质对流消失，可使化合物材料化学配比得以精确控制”的新观点，对化合物半导体的研究有很好的指导作用。

 

在任国家“863计划”新材料领域专家委员会委员、常委和功能材料专家组组长期间，王占国和蒋民华院士一起力排众议，率先在新材料领域的“863计划”中设立了GaN基材料和蓝绿光器件研究课题，继而以重点和重大专项给予了有力支持，为我国半导体固态照明技术（LED）的发展打下了基础。同时，他还坚持把全固态激光器作为材料领域的优先研发课题，并以重大专项形式予以持续稳定的支持，取得了一批具有国际先进水平的成果。在“863计划”15周年时，王占国被科技部授予先进个人称号。

 

最近10年，王占国的研究重点集中在半导体低维结构和量子器件这一国际前沿领域。2002年底，他和中科院半导体材料科学重点实验室的同事们一起，研制出国际首只量子点超辐射发光管。2007年，他们又将量子点超辐射发光管的光谱宽度，进一步拓宽至110纳米以上。目前，该实验室研制的1微米波段量子点超辐射发光管的综合性能，处于国际最好水平。

 

王占国至今已培养了一百多名硕士、博士，大多学有所成，活跃在国内外半导体材料研究领域。每一届学生毕业的时候，王占国都要提醒他们：无论你们走到哪里，都不要忘记自己的祖国，要为中国的强盛作贡献。

 

人物介绍

 

王占国，1938年12月出生于河南省镇平县。1962年毕业于南开大学物理系，分配到中科院半导体所工作。1980年赴瑞典隆德大学固体物理系做访问学者。1986年破格晋升为中科院半导体研究所研究员。1995年当选为中国科学院院士。

 

王占国致力于半导体材料光电性质、半导体深能级和光谱物理研究，砷化镓材料与器件关系研究，半导体低维结构材料与量子器件研究等工作。研究成果曾获国家和中科院自然科学奖、科技进步奖、何梁何利科学技术奖以及多项国家重点科技攻关奖。现任中国电子学会半导体和集成技术分会主任，国家“973”计划材料领域咨询专家组组长等。先后曾任中科院半导体所副所长、中国材料研究学会副理事长和国家“863”新材料领域专家委员会委员、常委和功能专家组组长等。■本报记者 郭勉愈【原标题：王占国：科学的道路没有捷径】